SK Hynix 推出了其首款具有 238 层的 3D NAND 设备，这是业界最高的层数。新的 512Gb 设备承诺相当便宜，并使 SK 海力士能够构建廉价的固态存储。此外，512Gb 238 层 3D NAND 产品将帮助内存制造商学习如何大规模生产具有大量层数的闪存。

SK 海力士首款 238 层 3D NAND 器件采用三层单元 (TLC) 架构，容量为 512Gb (64GB)，接口速度为 2400 MT/s，与上一代旗舰 NAND 相比提升 50%。韩国制造商。作为额外的好处，新的 3D NAND 存储设备将读取期间的功耗降低了 21%，这对于移动 PC 和智能手机来说都是一个优势。

该 IC 采用电荷陷阱闪存 (CTF) 设计以及 SK 海力士的外围单元下 (PUC) 布局，该公司正式将其称为“4D”NAND。该公司的外围单元 (PUC) 允许通过使设备稍小一些来降低 NAND 存储器的成本。

形式上，SK Hynix 的 238 层 3D NAND 器件比美光7 月推出的 232 层 3D NAND IC技术更先进 。美光的 232 层 3D NAND 设备具有 1Gb 的容量，因此每个芯片提供更多的存储空间，并能够构建高达 2TB 的 3D NAND 封装。然而，SK 海力士表示其 1Gb 238 层 3D NAND 产品将于明年推出。

事实上，在构建快速中端 SSD 时，512Gb 238 层 3D NAND 设备可能比 1Gb 232 层 3D NAND IC 具有一定的优势(很有可能进入我们的 最佳 SSD 列表)。八个 512Gb 3D NAND 设备允许构建 512GB 驱动器，所有八个 NAND 通道都处于活动状态，因此以相对较低的成本提供最大的并行度和性能。

SK 海力士计划在 2023 年上半年开始量产 238 层 3D TLC NAND 设备(或 4D NAND，如果您愿意的话)。新的闪存 IC 最初将用于客户端 SSD，稍后将采用适用于智能手机以及数据中心级驱动器。